Для юрлиц

Сортировать по:

Конвейер выгоды
Тиристорный модуль RUICHI МТТ160-12 57810
-3%

3 416 ₽

3 522 ₽

8 шт. в наличии

Тиристорный модуль RUICHI МТТ500-16 84279

13 494 ₽

Нет оценок

3 шт. в наличии

Тиристорный модуль RUICHI МТТ300-12 62457

6 895 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ630-16 93381

12 697 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ350-12 62467

8 527 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ200-12 62455

8 716 ₽

Нет оценок
Диодный модуль RUICHI МДД160-12 62481

1 889 ₽

Нет оценок

2 шт. в наличии

Тиристорный модуль RUICHI МТТ500-12 62468

11 565 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ100-12 57809

3 406 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ250-12 62456

6 524 ₽

Нет оценок
Диодный модуль RUICHI МДД300-12 62484

8 701 ₽

Нет оценок
Диодный модуль RUICHI МДД250-12 62483

6 272 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТД100-12 62461

1 672 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ80-16 83019

2 902 ₽

Нет оценок
Диодный модуль RUICHI МДД100-12 62479

1 310 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТТ63-12 57807

2 136 ₽

Нет оценок
Диодный модуль RUICHI МДД80-12 62478

1 103 ₽

Нет оценок
Тиристорный модуль RUICHI МТД80-12 62460

1 542 ₽

Нет оценок
Диодный модуль RUICHI МДД125-12 62480

1 980 ₽

Нет оценок
Нет в наличии
Тиристорный модуль RUICHI МТТ800-12 62469
Последняя цена

17 030 ₽

Нет оценок

Популярные отзывы

Все отзывы категории

Только оригинальные товары

Все бренды

Полезная информация

Силовой полупроводниковый модуль — это монолитная гибридная интегральная полупроводниковая сборка, в которую входят силовые элементы: диоды, тиристоры, МОП-транзисторы и IGBT. Такие модули предназначены для работы в сильноточных и высоковольтных устройствах.

Преимущество — возможность объединения работы силовых датчиков, схем управления и защиты в одном корпусе. Это позволяет создавать широкий диапазон компонентов, отличающихся мощностью, размером и функциональным назначением.

Виды

Некоторые виды силовых полупроводниковых модулей:

  • Тиристорно-диодные.
  • Транзисторно-диодные (IGBT).
  • Полумостовые (MOSFET или IGBT).
  • Трёхфазные мостовые (диодные или IGBT).
  • Мощные транзисторные сборки.

Также силовые модули могут быть универсальными и специализированными. Например:

  • Интегрированные силовые модули (ИСМ или IPM) на основе IGBT, которые используются в системах управления электроприводом в одно- или трёхфазных электросетях.
  • Специализированные силовые модули — проектируются обычно на очень большую мощность и имеют сложную внутреннюю организацию.

Конструкция

Типовые модули состоят из силовой сборки на основе диодов различного типа, тиристоров, MOSFET- и IGBT-транзисторов, размещённых на керамической высокоплотной подложке. Подложка размещается на металлическом (медном или алюминиевом) радиаторе, который создаёт необходимый теплообмен с окружающей средой.

Некоторые особенности конструкции:

  • Для эффективного отвода тепла модули оснащаются изолированными радиаторами.
  • Для передачи мощных токов используются винтовые или соединительные клеммы.
  • В современных конструктивах силовые терминалы разносят по краям корпуса, освобождая центр для размещения драйвера затворов прямо над модулем для снижения индуктивности цепи управления.

Принцип работы

Принцип работы силового модуля основан на управлении потоком электрической энергии через полупроводниковые элементы. Когда на вход модуля подаётся сигнал управления, драйверы активируют транзисторы или тиристоры, которые, в свою очередь, изменяют параметры электрического тока и напряжения. Это позволяет преобразовывать постоянный ток в переменный, регулировать мощность и выполнять другие функции.

Применение

Силовые полупроводниковые модули используются в различных областях, например:

  • Промышленное оборудование — управление электродвигателями и генераторами.
  • Транспорт — системы электроприводов в автомобилях и железнодорожных составах.
  • Энергетика — преобразователи и инверторы в солнечных и ветровых электростанциях.
  • Бытовая техника — управление электропитанием в сложных бытовых устройствах.

Преимущества силовых модулей:

  • широкий диапазон токов (10–160 А);
  • рабочие напряжения: МОП-транзисторы — 600–400 В, тиристоры и диоды — 600–1200 В, IGBT — 600–1200 В;
  • низкое сопротивление в открытом состоянии (снижение потерь энергии);
  • высокий уровень изоляции — не менее 4000 В;
  • широкий температурный диапазон — от -40 до +85 °С.